Positive SSL
A 必須先製作光罩
B 以刷子在晶圓上塗佈光阻劑
C 光阻液要再經過烘烤除去光組液內之溶劑
D 以紫外線曝光
晶圓放在塗佈機上,滴一滴光阻液,塗佈機以1,000~5,000rpm之轉速旋轉,光阻液因離心力作用均勻向外流動,佈滿晶圓表面形成一薄層的附著膜

A 為乾式蝕刻法
B 為濕式蝕刻法
C 為非等向性蝕刻
D 不會產生過切現象

A 直徑大比直徑小者具有競爭力
B 晶粒必須以金屬導線與外部作連接
C 晶粒經測試不合格者要滴墨水作記號
D 擴散摻雜法比離子植入法常用

A 利用化學氣相沉積法
B 在晶圓上形成製造電路的基礎
C 所需厚度很小約1mm
D 在晶圓上面沉積一層二氧化矽、氮化矽、多晶矽或導電金屬
薄膜沉積的厚度不到1μm

A 可在矽晶圓上長出二氧化矽
B 純度比薄膜沉積法高
C 與惰性氣體接觸
D 沉積之厚度不到1μm
矽與反應性氣體接觸才可長出二氧化矽