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1 下列有關微影製程之敘述何者不正確？
A 製作光罩
B 離子植入
C 加光阻液
D 紫外線曝光
  
離子植入屬於摻雜製程
2 半導體製程是相當精細的製造技術，在其製程中需用到多種精密加工技術，本製程用不到下列何種製造技術？
A CVD
B PAM
C CAD
D CMP
  
PAM為電漿切削之縮寫
3 下列敘述何者與薄膜沉積無關？
A 利用化學氣相沉積法
B 在晶圓上形成製造電路的基礎
C 所需厚度很小約1mm
D 在晶圓上面沉積一層二氧化矽、氮化矽、多晶矽或導電金屬
  
薄膜沉積的厚度不到1μm
4 微影製程曝光乃是利用全自動的校準設備將光罩放置在晶圓上方作精確的定位，然後照射光線，其所用的光線為
A 日光
B 紅外光
C 紫外光
D 黃光
5 下列有關晶圓製備之敘述何者不正確？
A 利用鑽石薄鋸將晶柱切成厚度約0.5mm的晶圓
B 晶圓切割過程材料浪費不多
C 晶圓切割下來之後必須將切割刀痕完全磨除至表面光亮如鏡
D 拉出的晶柱必須進一步磨至正確尺寸
  
晶圓切割過程大約會浪費掉三分之一的材料
6 下列有關半導體產業之敘述何者不正確？
A 製造精密度極高，製造流程又相當長
B 製造的軟硬體設備非常昂貴
C 需要投入大量的研發資金與人才
D 製程不容易自動化
7 下列有關n型半導體之敘述何者正確？
A 以三價硼摻入四價矽
B 導電性比金屬好
C 以五價磷摻入四價矽
D 為內稟半導體
  
n型半導體為外賦半導體，導電性比金屬差
8 下列敘述何者與氧化無關？
A 可在矽晶圓上長出二氧化矽
B 純度比薄膜沉積法高
C 與惰性氣體接觸
D 沉積之厚度不到1μm
  
矽與反應性氣體接觸才可長出二氧化矽
9 製造晶片時，薄膜沉積後接下來的製程為何？
A 氧化
B 微影
C 蝕刻
D 摻雜
10 晶圓沉積或氧化完成之後徹底清洗乾淨，然後放置在塗佈機上，塗一層對光敏感的光阻液，下列何者為光阻劑的縮寫？
A PR
B RP
C RE
D PE
  
Photo-resist之縮寫