Positive SSL
A 順向主動區
B 逆向主動區
C 飽和區
D 截止區

A 射極摻雜濃度最低且寬度最窄
B 射極摻雜濃度最低且寬度最寬
C 集極摻雜濃度最高且寬度最窄
D 集極摻雜濃度最低且寬度最寬

A PNP 電晶體主要是由電洞來傳導、NPN 電晶體主要是由電子來傳導
B 工作在主動區(工作區)時,不論是NPN 或PNP 電晶體,其基極- 射極接面都是順向偏壓
C PNP 電晶體的頻率響應較NPN 電晶體佳,適合在高頻電路使用
D 現今使用的電晶體大多數為NPN 電晶體

A 發射載子以提供傳導之電流
B 收集射極發出的大部分載子
C 控制射極載子流向集極的數量
D 基極摻雜濃度最高

A IC=0mA
B IC=βIB
C IC=αIB
D 由外接電路決定

A BJT為電流控制元件
B NPN型BJT正常工作時,流通之多數載子為電子
C BJT工作於順向主動區時,基射極需接反偏,基集極接順偏
D BJT當開關使用時,工作於飽和區和截止區

A β= α/(1+α)
B IC = IB + IE
C α= β/(1-β)
D IE =(β/α)IB