Positive SSL
A 加大
B 減小
C 不變
D 先增大再減小
溫度越高,漏電流越大,電流越大,電阻越小

A `4.5xx10^5 cm^(-3)`
B `4.5xx10^6 cm^(-3)`
C `4.5xx10^7 cm^(-3)`
D `4.5xx10^8 cm^(-3)`

質量作用定律 `n_i^2=nxxp`

電子濃度 `n = (5xx10^(22))/(10^9)=5xx10^(13)(cm^(-3))`

`(1.5xx10^(10))^2 = p xx (5xx10^(13))`

`p = (2.25xx10^(20))/(5xx10^(13))`

` = 4.5xx10^6 (cm^(-3)) `


A 用在檢波時,要工作在非線性區
B 串聯可增加最大電流
C 並聯可增最大逆向電壓
D 施加逆向偏壓愈大,則空乏區寬度變小
二極體串聯可以增加耐壓(PIV),並聯可以增加最大電流,逆向偏壓越大,空乏區越大

A 6nA
B 12nA
C 30nA
D 60nA

`I_S=3nxx2^((45-25)/10)`=`3nxx2^2`=12nA


A 接面附近會產生一空乏層,而P型側的空乏層內含有負離子 
B 二極體具有單向導電特性,可作為整流、檢波等功能 
C 二極體在逆向偏壓下(小於崩潰電壓),沒有電流導通,但仍有微量的逆向飽和電流,其大小與外加偏壓沒有太大關係,但對溫度甚為敏感
D 接面接上順向偏壓後,則空乏層的寬度變小,使得載子越過接面而達到對面,造成大量電流流動,所以具有電流放大作用
二極體沒有放大作用

A 只有電洞
B 只有電子
C 有多數電子及少數電洞
D 有多數電洞及少數電子

A 空乏區的電場
B 空乏區的多數載子
C 載子濃度不同
D 載子移動速率不同

A 1.25V
B 1.5mV 
C 2.0mV 
D 2.5mV

題目未特別說明是矽或鍺二極體時,因為目前矽二極體比較普遍,所以矽來計算。

`矽:-2.5 (mV)/℃ ; 鍺:-1 (mV)/℃`