二極體有單向導通的特性，只允許電流單向導通。二極體一般是由P型半導體+N型半導體組成的PN接合面的二極體，也有一種特殊的半導體是由金屬與N型半導體組成的二極體。

矽二極體

矽二極體順向切入電壓約為 0.6V~0.7V。逆向漏電流較小。
1N4007 切入電壓 0.6V 順向限流 I_F 1A 逆向耐壓 1000V

鍺二極體

鍺二極體順向切入電壓約為 0.2V~0.3V。逆向漏電流較大。
1N60 切入電壓 0.3V 順向限流 I_F 30mA 逆向耐壓 40V

蕭特基二極體

蕭特基二極體是由金屬與N型半導體組成的二極體，沒有空乏區，順向切入電壓比矽二極體低。逆向漏電流比矽二極體大(與鍺二體差不多)。因為沒有空乏區，操作開關速度較快。蕭特基二極體的原理是電子濃度高可以流向電子濃度低，電子濃度低無法流向電子濃度高，因此形成單向導通的特性。