電晶體(BJT)是由 2塊相同型別的半導體中間夾一塊不同型別的半導體，用2塊 N 型半導體中間夾 P 型半導體的電晶體(BJT)是NPN電晶體，用2塊 P 型半導體中間夾 N 型半導體的電晶體(BJT)是PNP電晶體。中間與上下兩塊不同型別的半導體會形成接合面，因此電晶體(BJT)有兩個接合面(二極體只有一個接合面)。

電晶體(BJT)中間那層是 基極(B)，上下是 射極(E) 與 集極(C)。事實上的基極厚度很薄，約只有電晶體總厚度的1/150，集極(C) 的厚度最高，三塊半導體的摻雜濃度也不相同，射極(E) 摻雜濃度最高，集極(C) 摻雜濃度最低，因此電晶體的 射極(E) 與 集極(C) 是不能互換使用，如果互換使用，電晶體的放大倍率 β 會下降，耐壓會降低。

電晶體(BJT)符號

電晶體電流

電晶體(BJT)是電流控制元件，利用 基極(B)電流 I_B 控制 集極(C)電流 I_C 。電晶體在工作區時，I_C 跟 I_B 是成一定比例變化的，關係如下：
※ I_C = β I_B
基極(B)電流 I_B 與集極(C)電流 I_C 合成為射極(E)電流I_E
※ I_E = I_C + I_B

電晶體的工作區

電晶體有 4 個工作區，分別是：截止區、工作區、飽和區、反向工作區

截止區：當電晶體的 BE 接合面 逆向偏壓、 BC 接合面 逆向偏壓
工作區：當電晶體的 BE 接合面 順向偏壓、 BC 接合面 逆向偏壓
飽和區：當電晶體的 BE 接合面 順向偏壓、 BC 接合面 順向偏壓
反向工作區：當電晶體的 BE 接合面 逆向偏壓 BC接合面 順向偏壓